sem成像方式有几种，sem和tem成像的区别

　　　　sem成像方式有几种，sem和tem成像的区别

　　　　例如：钢在能量30keV、直径1m的电子束照射下，背反射电子的宽度约为2m，特征性的x射线的宽度约为3m。 当入射电子照射固体试料，试料内原子的内部电子被激发时，原子从基态变为激发态，当L 2层的电子迁移到k层时，释放出的能量敲击核外的其他电子，该电子脱离原子，成为具有特征能量的二次电子。 这种二次电子称为俄歇电子。

　　　　德龙亚马逊发布的新一代电子显微镜LVEM5采用革命性的新技术，比传统电子显微镜缩小了90%的尺寸，是世界上最小的透射型电子显微镜。 低压电子束的同样作用比高电压强，对密度和原子序数具有高灵敏度，对0.005g/cm 3的密度差也能获得良好的图像对比度。 二次电子的能量一般较低，为50eV，大多数二次电子只有2~3eV的能量。

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　　　　SEM是一种逐点成像的方法，将样品表面的不同特征按顺序和比例转化为图像，如二次电子像。 为了解决该问题，即改善二次电子像对比度，如图12-11(a )所示，对有电子检测器的法拉第屏蔽件施加200~500V的正偏压，吸收二次电子，背向检测器的二次电子的相当大的部分弯曲轨迹

　　　　选择低加速电压意味着使用低能电子束，其入射样本并受到散射的扩散区小，相互作用区接近表面，有利于表面形貌成像。 当使电子束入射并照射固体时，由于与样品中原子的相互作用，例如，如图12-1所示，二次电子、背散射电子、吸收电子(这三个信号可以用于成像)、特征性的x射线、阴电平的荧光)这两个信号用于成分的分析

　　　　电子束偏转的同时也伴随着扫描工作，电子束在上下偏转线圈的作用下在样品表面扫描方形区域，相应地在样品上绘制一帧尺度图像。 因为束斑的直径是一个成像单元(像点的大小)，所以这两个电子像的分辨率相当于电子束的直径。

　　　　电子束从试样上某一点被激励的二次电子越多，输送到显像管栅极的电压越大，发射到荧光屏上的电子数量越多，该点越成为亮点，相反成为暗点； 由于二次电子的释放量取决于样品的表面形貌，阴极射线管荧光屏上的图像是样品表面形貌部分的放大图像。 注意：这里所说的透射电子是指利用扫描透射操作方式对薄膜样品成像，进行微区成分分析时形成的透射电子。

　　　　值得注意的是，二次电子探测器安装在样品上方的一侧，二次电子图像的亮度不仅与二次电子的发射数量有关，还与能否被探测器检测到有关。