Sem测量纳米尺寸是多少，sem能看到纳米级吗

　　　　Sem测量纳米尺寸是多少，sem能看到纳米级吗

　　　　中国科学院半导体所牛智川研究组[27]研究了利用MBE (分子束外延)设备在si 111衬底上外延生长的无Au催化剂的GaAs/AlGaAs核壳纳米线的显微形貌和发光性质。 为了改善GaAs/InGaAs纳米线的表面显微形貌，提高纳米线的生长质量，国内外研究机构对可控纳米线尺寸和密度的定向外延生长方法进行了更深入的研究。

　　　　在高加速电压( 15kV下，S-4800的二次电子图像分辨率为1 nm，这是目前半浸没式冷场辐射扫描电镜能达到的最高水平。 如图4 b所示，当比较GaAs纳米线、GaAs/AlGaAs核壳结构纳米线和GaAs衬底PL光谱时，GaAs/AlGaAs核壳结构纳米线的室温PL光谱强度与GaAs纳米线强度的

　　　　用imageJ观测到的粒子的面积被转换为以像素为单位的有效直径值，特殊粒子的形状被忽略。 扫描电镜的分辨率决定于电子束与样品的相互作用体积( Interaction Volume，一般扫描电镜的分辨率为1-20nm，先进仪器可以达到优于1nm的分辨率。 图4 A是以m1(nio纳米片)为作用电极材料的循环伏安图。

　　　　产生该现象的主要原因是In、Ga原子在GaAs(111 b衬底上的迁移长度不同，In原子的迁移长度比Ga原子长，因此控制GaAs/InGaAs纳米线的In成分和均匀性非常困难，In成分越高难度越大使用以前的间距测量校准结果，该值将进一步转换为以纳米为单位的长度值。

　　　　NiO纳米片作用电极材料晶粒直径小、比表面积大，使得电解液与活性物质接触更充分，提高了电极材料的利用率，电化学性能更优。 研究表明，低生长温度下可以抑制柱状纳米线向锥形纳米线的转化，但In组分对纳米线的锥形生长模式影响较大，锥形纳米线的数量随In组分的增加而增加，纳米线的锥形度也随纳米线中In组分的增加而恶化

　　　　式中，d表示晶粒尺寸( nm； k是参数； 为测试x射线波长( nm； 为衍射峰半宽度； 为衍射角( Rad。 图1 E和1F是采用水热法在100 下反应得到的NiO纳米球状粒子(样品M3的SEM照片。 纳米立方体粒子和纳米球状粒子在电流密度为0.5 A/g时，比电容值分别为354和249 F/g。