SEM为什么要高真空，sem为什么要抽真空

　　　　SEM为什么要高真空，sem为什么要抽真空

　　　　对于kV电子束的0.037埃，普通TEM的电分辨率仅为0.8纳米。 图1所示的SEM低真空控制器是典型的闭环控制电路，电路包括SEM的真空泵和样品室(图中所示)、连接样品室的真空管路、安装在真空管路的电容真空计和NVNV数字针、VPC2021真空压力控制器和控制

　　　　现有的高真空扫描电子显微镜真空系统连接了低真空测量装置，可以准确控制样品室内的真空度。 真空度控制范围为1Pa~100Pa，控制精度优于1%。 作用： (1)消除荷电效应，提高二次电子发射率增加信噪比，提高图像对比度；2)增强样品表面机械强度，提高样品抗电子冲击能力；3)避免来自组织内部的信息参与成像。

　　　　原理：在高真空下，将某些金属物质加热至熔点以上，真空蒸发成极细颗粒堆积在样品表面，在样品表面形成薄金属膜。 VPC2021型真空压力控制器是一种超高精度的PID可编程控制器，PID参数可通过自整定方式获取。

　　　　离子表结构(真空部)真空泵、真空计、真空计、进气阀溅射部)金属靶)溅射时阴极，蚀刻时阳极(金属) Au、Pt、Pd样品台)溅射时阳极、蚀刻电流普通扫描电镜的样品室必须为高真空，不导电的样品需要表面喷涂导电层，样品上多余的电子会被导电层吸引。

　　　　STEM成像：照明会聚束、成像不相干、结果的累积性、完全不相干接收的情况下，图像的对比度不会因样本的厚度和焦点不足而反转，可以对更厚的样本进行成像。 原子分辨率STEM不是HAADF的专利，ADF和明场探针也能做到，但直接说明不好，失去了z对比度的优势。 XPS采样深度为2-5nm，EDS采样深度约为1um。

　　　　真空压力控制器可以与计算机通信，通信协议为标准的MODBUS RTU，还配备了随机合适的控制器软件，通过软件可以远程操作真空压力控制器，记录和存储真空度测量数据。 样品的穿晶断裂和沿晶断裂在SEM图像上分别有哪些明显特征？

　　　　测量真空度的笔形规不再测量，工程师叫我取下并清洗。 因为没有“内卡钳”，不能完全取下，所以只好用N2吹了一会儿，重新装上后也恢复了正常。 但工程称，如此难治，拆下后最好用砂纸打磨，再用酒精清洗。 为了获得最佳的图像分辨率，低真空测量装置需要具有低真空扫描控制功能，能够在1Pa~100Pa之间的某个设定范围内可编程地控制真空度随时间变化的折线。